Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
950 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Ilgis
10.63mm
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.12mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,68
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,033
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 1,68
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,033
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 18 | € 1,68 | € 3,36 |
20 - 48 | € 0,975 | € 1,95 |
50 - 98 | € 0,853 | € 1,71 |
100 - 198 | € 0,743 | € 1,49 |
200+ | € 0,682 | € 1,36 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
950 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Ilgis
10.63mm
Plotis
4.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.12mm