Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Plotis
4.9mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.12mm
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,392
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,474
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,392
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,474
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.63mm
Plotis
4.9mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
16.12mm
Produkto aprašymas