Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,037
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,255
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 1,037
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 1,255
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,037 | € 5,19 |
50 - 120 | € 0,571 | € 2,86 |
125 - 245 | € 0,388 | € 1,94 |
250 - 495 | € 0,349 | € 1,74 |
500+ | € 0,311 | € 1,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
78 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm