Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
58 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,546
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,661
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,546
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,661
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,546 | € 2,73 |
50 - 120 | € 0,333 | € 1,66 |
125 - 245 | € 0,331 | € 1,65 |
250 - 495 | € 0,328 | € 1,64 |
500+ | € 0,326 | € 1,63 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
58 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
6.73mm
Plotis
6.22mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.38mm