Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
58 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Aukštis
7.62mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,761
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,921
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 0,761
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 0,921
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,761 | € 3,81 |
50 - 120 | € 0,388 | € 1,94 |
125 - 245 | € 0,271 | € 1,35 |
250 - 495 | € 0,269 | € 1,34 |
500+ | € 0,266 | € 1,33 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
58 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Plotis
2.38mm
Transistor Material
Si
Aukštis
7.62mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C