onsemi MMBTA13LG Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23

RS kodas: 178-4695Gamintojas: onsemiGamintojo kodas: MMBTA13LT3G
brand-logo
View all in Darlington poros

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

300 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

30 V

Maximum Emitter Base Voltage

10 V

Pakuotės tipas

SOT-23

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

5000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Base Voltage

30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

100nA

Aukštis

1.01mm

Plotis

1.4mm

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Matmenys

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

3.04mm

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 0,021

Each (On a Reel of 10000) (be PVM)

€ 0,025

Each (On a Reel of 10000) (su PVM)

onsemi MMBTA13LG Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23
sticker-462

€ 0,021

Each (On a Reel of 10000) (be PVM)

€ 0,025

Each (On a Reel of 10000) (su PVM)

onsemi MMBTA13LG Dual NPN Darlington Transistor, 300 mA 30 V HFE:5000, 3-Pin SOT-23
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
sticker-462

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Markė

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum Continuous Collector Current

300 mA

Maximum Collector Emitter Voltage

30 V

Maximum Emitter Base Voltage

10 V

Pakuotės tipas

SOT-23

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Kaiščių skaičius

3

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

2

Minimum DC Current Gain

5000

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Base Voltage

30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Maximum Collector Cut-off Current

100nA

Aukštis

1.01mm

Plotis

1.4mm

Maximum Power Dissipation

300 mW

Minimali darbinė temperatūra

-55 °C

Matmenys

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

3.04mm