Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
24 → 60mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
2.5pF
Source Gate On-Capacitance
5pF
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,29
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,351
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,29
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,351
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,29 | € 14,49 |
250 - 450 | € 0,16 | € 7,98 |
500 - 2450 | € 0,15 | € 7,51 |
2500 - 4950 | € 0,116 | € 5,78 |
5000+ | € 0,101 | € 5,04 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
24 → 60mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
2.5pF
Source Gate On-Capacitance
5pF
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.