Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 → 30mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
2.5pF
Source Gate On-Capacitance
5pF
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,08
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,097
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,08
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,097
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
12 → 30mA
Maximum Drain Source Voltage
10 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
2.5pF
Source Gate On-Capacitance
5pF
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.