Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.04mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,366
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,443
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
€ 0,366
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,443
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Juosta |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,366 | € 18,32 |
100 - 950 | € 0,213 | € 10,66 |
1000 - 2950 | € 0,144 | € 7,19 |
3000 - 8950 | € 0,126 | € 6,30 |
9000+ | € 0,123 | € 6,14 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.04mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.