Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
2 → 9mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.04mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,32
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,387
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
€ 0,32
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,387
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
Standartas
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,32 | € 16,01 |
250 - 450 | € 0,134 | € 6,70 |
500 - 2450 | € 0,127 | € 6,36 |
2500 - 4950 | € 0,107 | € 5,37 |
5000+ | € 0,081 | € 4,04 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
2 → 9mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.04mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.