Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
5 → 30mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,309
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,374
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,309
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,374
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 225 | € 0,309 | € 7,72 |
250 - 725 | € 0,148 | € 3,70 |
750 - 1475 | € 0,14 | € 3,49 |
1500 - 2975 | € 0,118 | € 2,94 |
3000+ | € 0,088 | € 2,20 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
5 → 30mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.