Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
50 → 150mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,315
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,381
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
€ 0,315
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
€ 0,381
Each (In a Pack of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,315 | € 15,75 |
250 - 450 | € 0,144 | € 7,19 |
500 - 2450 | € 0,138 | € 6,88 |
2500 - 4950 | € 0,116 | € 5,78 |
5000+ | € 0,101 | € 5,04 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
50 → 150mA
Maximum Drain Source Voltage
0.4 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
30 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.92mm
Aukštis
0.93mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.