Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-2 → -25mA
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
300 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Maximum Power Dissipation
350 mW
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,113
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,137
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
€ 0,113
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,137
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-2 → -25mA
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
300 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Maximum Power Dissipation
350 mW
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.