Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
100mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
160pF
Source Gate On-Capacitance
160pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,762
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,922
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,762
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,922
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,762 | € 15,25 |
100 - 180 | € 0,524 | € 10,48 |
200 - 980 | € 0,474 | € 9,47 |
1000 - 1980 | € 0,421 | € 8,42 |
2000+ | € 0,355 | € 7,10 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
100mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
160pF
Source Gate On-Capacitance
160pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.