Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
500mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
160pF
Source Gate On-Capacitance
160pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,762
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,922
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,762
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,922
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,762 | € 7,62 |
100 - 240 | € 0,483 | € 4,83 |
250 - 990 | € 0,46 | € 4,60 |
1000+ | € 0,392 | € 3,92 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
500mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Pakuotės tipas
TO-92
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
160pF
Source Gate On-Capacitance
160pF
Matmenys
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.2mm
Aukštis
5.33mm
Plotis
4.19mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.