Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Aukštis
15.21mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,362
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,858
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 2,362
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 2,858
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 2,362 | € 4,72 |
10 - 98 | € 1,995 | € 3,99 |
100 - 248 | € 1,575 | € 3,15 |
250 - 498 | € 1,522 | € 3,04 |
500+ | € 1,418 | € 2,84 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
8.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
107 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
4.67mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
10.36mm
Typical Gate Charge @ Vgs
25 nC @ 10 V
Aukštis
15.21mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
China