Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
124 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
42 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
Philippines
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,888
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,494
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 2,888
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,494
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 5 | € 2,888 | € 14,44 |
10 - 95 | € 2,362 | € 11,81 |
100 - 245 | € 1,995 | € 9,98 |
250 - 495 | € 1,942 | € 9,71 |
500+ | € 1,838 | € 9,19 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
124 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
42 nC @ 10 V
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
Philippines