Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
124 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
5.85mm
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
42 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
Philippines
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,418
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,716
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 1,418
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,716
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
124 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
PQFN8
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
12 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Ilgis
5.85mm
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
42 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.05mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
Philippines