Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
Power33
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
Philippines
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,26
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,525
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 1,26
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,525
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 1,26 | € 3 780,00 |
6000+ | € 1,208 | € 3 622,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Pakuotės tipas
Power33
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
10 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
3.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Aukštis
0.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Kilmės šalis
Philippines