Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
H-PSOF8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
4.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
11.78mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
9.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Kilmės šalis
Philippines
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,838
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 2,224
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
€ 1,838
Each (On a Reel of 2000) (be PVM)
€ 2,224
Each (On a Reel of 2000) (su PVM)
2000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
H-PSOF8L
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
4.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
11.78mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
9.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Kilmės šalis
Philippines