Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
IPAK
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Plotis
2.5mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
6.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,677
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 0,819
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
€ 0,677
Each (In a Tube of 75) (be PVM)
€ 0,819
Each (In a Tube of 75) (su PVM)
75
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
IPAK
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
360 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18 nC @ 10 V
Plotis
2.5mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Aukštis
6.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China