Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
181 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Aukštis
16.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,622
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 4,383
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 3,622
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 4,383
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 3,622 | € 181,12 |
100 - 200 | € 2,888 | € 144,38 |
250 - 450 | € 2,73 | € 136,50 |
500 - 950 | € 2,572 | € 128,62 |
1000+ | € 2,258 | € 112,88 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
181 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
4.7mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
46 nC @ 10 V
Aukštis
16.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Kilmės šalis
China