Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
ECH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
2.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
Dual P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,236
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,286
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,236
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,286
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
ECH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
82 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
2.3mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas