Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
ECH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
48 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Plotis
2.3mm
Transistor Material
Si
Aukštis
0.9mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,381
Each (In a Pack of 15) (be PVM)
€ 0,461
Each (In a Pack of 15) (su PVM)
15
€ 0,381
Each (In a Pack of 15) (be PVM)
€ 0,461
Each (In a Pack of 15) (su PVM)
15
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
15 - 15 | € 0,381 | € 5,72 |
30 - 135 | € 0,377 | € 5,65 |
150 - 435 | € 0,37 | € 5,54 |
450 - 885 | € 0,368 | € 5,51 |
900+ | € 0,362 | € 5,43 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
ECH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
48 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Plotis
2.3mm
Transistor Material
Si
Aukštis
0.9mm