Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
CPH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,246
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,298
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,246
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,298
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 12000 | € 0,246 | € 737,10 |
15000+ | € 0,24 | € 721,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
CPH
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
0.9mm
Kilmės šalis
Japan
Produkto aprašymas