Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 → 20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CPH
Kaiščių skaičius
5
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Matmenys
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.9mm
Plotis
1.6mm
Produkto aprašymas
Bipolar NPN & JFET Transistor, ON Semiconductor
Compact space-saving composite SMT package incoporating both an NPN Bipolar Transistor and N-channel JFET. In some devices the NPN emitter and JFET drain share a common connection.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,052
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,063
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
20
€ 0,052
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 0,063
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 → 20mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CPH
Kaiščių skaičius
5
Drain Gate On-Capacitance
10pF
Source Gate On-Capacitance
2.9pF
Matmenys
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.9mm
Plotis
1.6mm
Produkto aprašymas
Bipolar NPN & JFET Transistor, ON Semiconductor
Compact space-saving composite SMT package incoporating both an NPN Bipolar Transistor and N-channel JFET. In some devices the NPN emitter and JFET drain share a common connection.