Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
225 mW
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
10

P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
225 mW
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Plotis
1.3mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.94mm