Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20 → 100mA
Maximum Drain Source Voltage
0.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.97mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,329
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,398
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,329
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,398
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,329 | € 16,43 |
250 - 450 | € 0,182 | € 9,08 |
500 - 2450 | € 0,172 | € 8,61 |
2500 - 4950 | € 0,131 | € 6,56 |
5000+ | € 0,116 | € 5,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
20 → 100mA
Maximum Drain Source Voltage
0.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
2.9 x 1.3 x 0.97mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
0.97mm
Plotis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.