Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
P.O.A.
Gamybinė pakuotė (Juosta)
100
P.O.A.
Gamybinė pakuotė (Juosta)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
TO-92
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Maximum Operating Frequency
300 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
5.33 x 5.2 x 4.19mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C