Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
1.1pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,405
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,49
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,405
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,49
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,405 | € 20,26 |
250 - 450 | € 0,373 | € 18,64 |
500 - 1200 | € 0,35 | € 17,48 |
1250 - 2450 | € 0,322 | € 16,12 |
2500+ | € 0,296 | € 14,80 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ON SemiconductorChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1.2 to 3mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
200 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
CP
Kaiščių skaičius
3
Drain Gate On-Capacitance
4pF
Source Gate On-Capacitance
1.1pF
Matmenys
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.5mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.