onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP

RS kodas: 792-5161Gamintojas: ON SemiconductorGamintojo kodas: 2SK3666-3-TB-E
brand-logo
View all in JFET konstrukcija

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

200 Ω

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Pakuotės tipas

CP

Kaiščių skaičius

3

Drain Gate On-Capacitance

4pF

Source Gate On-Capacitance

1.1pF

Matmenys

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

2.9mm

Aukštis

1.1mm

Plotis

1.5mm

Produkto aprašymas

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

Patikrinkite dar kartą.

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.

€ 0,401

Each (In a Pack of 50) (be PVM)

€ 0,485

Each (In a Pack of 50) (su PVM)

onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

€ 0,401

Each (In a Pack of 50) (be PVM)

€ 0,485

Each (In a Pack of 50) (su PVM)

onsemi 2SK3666-3-TB-E N-Channel JFET, 30 V, Idss 1.2 to 3mA, 3-Pin CP
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
sticker-462

Pirkti dideliais kiekiais

kiekisVieneto kainaPer Pakuotė
50 - 200€ 0,401€ 20,06
250 - 450€ 0,37€ 18,48
500 - 1200€ 0,348€ 17,38
1250 - 2450€ 0,319€ 15,96
2500+€ 0,294€ 14,70

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Techniniai dokumentai

Specifikacijos

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

1.2 to 3mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

200 Ω

Tvirtinimo tipas

Surface Mount

Pakuotės tipas

CP

Kaiščių skaičius

3

Drain Gate On-Capacitance

4pF

Source Gate On-Capacitance

1.1pF

Matmenys

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maksimali darbinė temperatūra

+150 °C

Ilgis

2.9mm

Aukštis

1.1mm

Plotis

1.5mm

Produkto aprašymas

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.