Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1 → 5mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,474
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,573
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,474
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,573
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,474 | € 4,74 |
100 - 240 | € 0,415 | € 4,15 |
250 - 490 | € 0,357 | € 3,57 |
500 - 990 | € 0,261 | € 2,61 |
1000+ | € 0,202 | € 2,02 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
1 → 5mA
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.