Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
2.0 → 6.5mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Aukštis
1mm
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,892
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,079
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,892
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,079
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 20 | € 0,892 | € 8,92 |
30 - 140 | € 0,636 | € 6,36 |
150 - 740 | € 0,513 | € 5,13 |
750 - 1490 | € 0,461 | € 4,61 |
1500+ | € 0,411 | € 4,11 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
2.0 → 6.5mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Aukštis
1mm
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.