Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 18mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Drain Gate Voltage
20V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Plotis
1.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,671
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,812
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,671
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,812
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,671 | € 6,71 |
50 - 90 | € 0,616 | € 6,16 |
100 - 240 | € 0,581 | € 5,81 |
250 - 490 | € 0,532 | € 5,32 |
500+ | € 0,49 | € 4,90 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
10 to 18mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Maximum Drain Gate Voltage
20V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Plotis
1.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.