Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
UMT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 2.2 x 1.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
50

P.O.A.
Each (In a Pack of 50) (be PVM)
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
UMT
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 2.2 x 1.35mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C