Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
TO-236AB
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 3 x 1.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
P.O.A.
Standartas
1

P.O.A.
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NXPTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Pakuotės tipas
TO-236AB
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
50 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1 x 3 x 1.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C