Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
89 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
LFPAK, SOT-669
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
10.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Plotis
4.1mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,662
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 2,011
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
5
€ 1,662
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (be PVM)
€ 2,011
Už kiekviena vnt. (tiekiama juostoje) (su PVM)
Standartas
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
89 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
LFPAK, SOT-669
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
10.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
117 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC @ 10 V
Plotis
4.1mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas