Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
LFPAK, SOT-669
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
51 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.1mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
€ 478,80
€ 0,319 Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 579,35
€ 0,386 Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500

€ 478,80
€ 0,319 Each (On a Reel of 1500) (be PVM)
€ 579,35
€ 0,386 Each (On a Reel of 1500) (su PVM)
1500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
76 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
LFPAK, SOT-669
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
51 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
4.1mm
Ilgis
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
22 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Kilmės šalis
Philippines
Produkto aprašymas