Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaDirection Type
Uni-Directional
Diode Configuration
Complex Array
Minimum Breakdown Voltage
6V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-143B
Maximum Reverse Stand-off Voltage
5.5V
Kaiščių skaičius
4
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
2
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Matmenys
3 x 1.4 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.4mm
Maximum Reverse Leakage Current
100µA
Ilgis
3mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
PRTR5V0U Series, Ultra Low Capacitance Rail-to-Rail ESD Protection Diodes, Nexperia
Ultra Low Capacitance Rail-to-Rail ElectroStatic Discharge (ESD) protection device in a small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
The device is designed to protect High-Speed data lines or High-Frequency signal lines from the damage caused by ESD and other transients.
Transient Voltage Suppressors, Nexperia
€ 589,95
€ 0,197 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 713,84
€ 0,238 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 589,95
€ 0,197 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 713,84
€ 0,238 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaDirection Type
Uni-Directional
Diode Configuration
Complex Array
Minimum Breakdown Voltage
6V
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-143B
Maximum Reverse Stand-off Voltage
5.5V
Kaiščių skaičius
4
ESD protection
Yes
Number of Elements per Chip
2
Minimali darbinė temperatūra
-40 °C
Matmenys
3 x 1.4 x 1.1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+85 °C
Aukštis
1.1mm
Plotis
1.4mm
Maximum Reverse Leakage Current
100µA
Ilgis
3mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
PRTR5V0U Series, Ultra Low Capacitance Rail-to-Rail ESD Protection Diodes, Nexperia
Ultra Low Capacitance Rail-to-Rail ElectroStatic Discharge (ESD) protection device in a small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
The device is designed to protect High-Speed data lines or High-Frequency signal lines from the damage caused by ESD and other transients.