Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA, 350 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω, 7.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
990 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.52 nC @ 4.5 V, 0.55 nC @ 4.5 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Malaysia
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,081
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,098
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,081
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,098
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,081 | € 242,55 |
6000 - 6000 | € 0,077 | € 229,95 |
9000+ | € 0,075 | € 223,65 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
200 mA, 350 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-363 (SC-88)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
2.8 Ω, 7.8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
990 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Plotis
1.35mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.52 nC @ 4.5 V, 0.55 nC @ 4.5 V
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Automotive Standard
AEC-Q101
Kilmės šalis
Malaysia