Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,117
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,141
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,117
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,141
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,117 | € 11,66 |
200 - 400 | € 0,092 | € 9,24 |
500 - 900 | € 0,076 | € 7,56 |
1000 - 1900 | € 0,051 | € 5,14 |
2000+ | € 0,048 | € 4,83 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
180 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Produkto aprašymas