Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,407
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,493
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,407
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,493
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,407 | € 4,07 |
50 - 90 | € 0,39 | € 3,90 |
100 - 240 | € 0,326 | € 3,26 |
250 - 490 | € 0,304 | € 3,04 |
500+ | € 0,285 | € 2,85 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas