Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,153
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,185
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,153
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,185
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,153 | € 15,33 |
200 - 400 | € 0,118 | € 11,76 |
500 - 900 | € 0,092 | € 9,24 |
1000 - 1900 | € 0,088 | € 8,82 |
2000+ | € 0,082 | € 8,19 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas