Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Transistor Material
Si
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,072
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,087
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,072
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,087
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,072 | € 217,35 |
6000 - 12000 | € 0,068 | € 204,75 |
15000 - 27000 | € 0,066 | € 198,45 |
30000 - 57000 | € 0,061 | € 182,70 |
60000+ | € 0,059 | € 176,40 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Transistor Material
Si
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas