Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0001mA
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Aukštis
1mm
Plotis
1.4mm
Produkto aprašymas
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,097
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,117
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,097
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,117
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pakuotės tipas
SOT-23 (TO-236AB)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.0001mA
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Matmenys
3 x 1.4 x 1mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Aukštis
1mm
Plotis
1.4mm
Produkto aprašymas