Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
DFN1006B, SOT-883B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
65 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1.05 x 0.65 x 0.36mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,111
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,134
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
€ 0,111
Each (In a Pack of 100) (be PVM)
€ 0,134
Each (In a Pack of 100) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
100 - 400 | € 0,111 | € 11,13 |
500 - 900 | € 0,088 | € 8,82 |
1000 - 4900 | € 0,071 | € 7,14 |
5000 - 7400 | € 0,057 | € 5,67 |
7500+ | € 0,055 | € 5,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Pakuotės tipas
DFN1006B, SOT-883B
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
250 mW
Minimum DC Current Gain
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
65 V
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Matmenys
1.05 x 0.65 x 0.36mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C