Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,385
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,466
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
€ 0,385
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,466
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,385 | € 19,27 |
100 - 200 | € 0,166 | € 8,30 |
250 - 450 | € 0,158 | € 7,88 |
500 - 950 | € 0,149 | € 7,46 |
1000+ | € 0,129 | € 6,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
320 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-363
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
420 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Plotis
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
Malaysia
Produkto aprašymas