Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.09 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,058
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,07
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
€ 0,058
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,07
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
100
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,058 | € 5,78 |
200 - 400 | € 0,048 | € 4,83 |
500 - 900 | € 0,038 | € 3,78 |
1000 - 1900 | € 0,035 | € 3,46 |
2000+ | € 0,034 | € 3,36 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.09 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Plotis
1.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas