Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,063
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,076
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 0,063
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 0,076
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,063 | € 189,00 |
6000 - 12000 | € 0,062 | € 185,85 |
15000 - 27000 | € 0,06 | € 179,55 |
30000 - 57000 | € 0,058 | € 173,25 |
60000+ | € 0,057 | € 170,10 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Number of Elements per Chip
1
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
1mm
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas