Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 105,45
€ 0,035 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 127,59
€ 0,042 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

€ 105,45
€ 0,035 Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 127,59
€ 0,042 Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000

Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
830 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3mm
Plotis
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
1mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Kilmės šalis
China
Produkto aprašymas