Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-243AA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1 kΩ
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
2.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
4.6mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.6mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
€ 30,44
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 36,83
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
40

€ 30,44
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 36,83
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Gamybinė pakuotė (Ritė)
40

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
MicrochipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 mA
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Pakuotės tipas
TO-243AA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Maximum Drain Source Resistance
1 kΩ
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
2.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
4.6mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
1.6mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.